英飞凌infineon宣布推出其第二代非易失性静态RAM（nvSRAM）。新一代设备符合QML-Q和高可靠性工业规范的要求，以支持苛刻环境中的非易失性代码存储和数据记录应用，包括航空航天和工业应用。

256 kb STK14C88C和1 Mb STK14CA8C NVSRAM采用32针300密耳双列直插式陶瓷封装，符合mil-PRF-38535 QML-Q规格（-55°C至125°C）和英飞凌工业标准（-40°C至85°C）。5V和3V版本都支持引导代码、数据记录和校准数据存储，用于航空航天、通信和导航系统，以及工业炉和铁路控制系统。英飞凌还提供晶圆销售，以支持一揽子解决方案中的系统。

英飞凌infineon航空航天和国防部副总裁Helmut Puchner说：“新一代NVSRAM扩展了Infineon在电荷阱存储器方面的领导地位，这些QML-Q和高可靠性，我们扩展的nvSRAM系列中的工业级合格设备表明，我们致力于为需要高性能、高可靠性内存的恶劣操作环境提供解决方案。”

英飞凌infineon的nvSRAM技术结合了高性能SRAM和一流的SONOS非易失性技术。在正常工作条件下，nvSRAM的行为类似于传统的异步SRAM。如果发生电源故障，nvSRAM会自动将SRAM数据的副本保存到非易失性存储器中，在该存储器中，数据的保护期超过20年。英飞凌已经售出了20多亿个基于SONOS的非易失性嵌入式或独立存储器。