接口：CMOS场效应管发光二极管LED及晶体三极管VT的电路图

接口：CMOS场效应管发光二极管LED电路图

如下所示

发光二极管特性

1.低功耗

2.寿命长

3.可靠性高

4.应用与CMOS集成电路配合是最佳终端显示器件；

 

CMOS场效应管集成电路可直接驱动高发光效率LED

VDD=10~18V   LED亮度足够

VDD=10V  输出短路电流=20mA，则导致LED或CMOS集成电路损坏

CMOS集成电路驱动LED时必须串入限流电阻，即限流保护；

 

如上图所示

CMOS场效应管集成电路，输出低电平点亮LED电路

R=电阻

VLED=工作电压

ILED=工作电流

R=（VDD-VOL-VLED）/ILED

低电源电压时或是差负载能力时，增加一级晶体管驱动电路，即可让CMOS集成电路驱动LED；

 

接口：CMOS场效应管晶体三极管VT电路图

如下所示

 

a图：CMOS场效应管集成电路驱动晶体三极管接口电路图。

晶体三极管VT：共发射极形式连接

R1=负载电阻

IL=负载电流

R1=（VOH-VBH）β/IL

VC选定由VL和IL决定

IB=IL/β

超出CMOS场效应管集成电路驱动能力，换高β值晶体三极管或达林顿管;

 

b图选定晶体三极管VT由IL决定，

IB=IL/（β1*β2）

R1=（VOH -1.4）/（IB + 1.4/R2），

R2改善电路开关特性而引入，R2值=4～10KΩ。

 

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