脉冲漏极电流即IDM

MOS场效应管工作在饱和区，即放大区恒流状态；

若：MOS场效应管稳态工作在可变电阻区，对应VGS放大恒流状态漏极电流 > 系统最大电流;

导通过程，MOS场效应管经Miller平台区，Miller平台区VGS电压对应系统的大电流，全部清除Miller电容电荷，VGS电压增大→可变电阻区→VGS稳定在最大栅极驱动电压；

Miller平台区电压与系统最大电流关系：满足MOS场效应管输出特性或转移工作特性;

 

VGS1某值，在转移工作特性或输出特性电流=IDM1，元件流过电流 < IDM1，

输出特性或转移工作特性限制MOS场效应管最大电流值；

 

数据表中MOS场效应管脉冲漏极电流额定值IDM，对应元件可有最大VGS，元件工作在饱和区，通过最大漏极电流，最大VGS和IDM要满足MOS场效应管输出特性或转移工作特性；

 

最大IDM要符合最大结温限制，工作在连续下，MOS场效应管结温可能超出范围；

脉冲下，瞬态热阻<稳态热阻 即满足最大结温限制；

 

IDM满足

1.一定脉冲宽度，基于瞬态热阻+最大结温计算值

2.一定脉冲宽度，基于MOS场效应管输出特性或转移工作特性的实际单脉冲最大电流测量值；

 

 

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