CMOS场效应管随机振荡器电路工作原理

如下图所示

单位增益缓冲器组成：M1～M5+M7+M8+R1

振荡器充电电流基I1=Vo/R1

R1=可调节电阻

调节R1即对充电电流基I1调整

电压比较器组成：M10～M18

用M18与M19电流镜产生单端输出Vout。

M25产生镜像电流I2并对时间常数电容C充电。

 

随机电流充电电路

随机控制信号V1～V4，随机打开M27～M30管，镜像作用，电容C充电电流变大，电容C充电速度加快，即振荡器频率改变。

电路M21～M24管宽长比比值设计为8：4：2：1

振荡器振荡频率可完全覆盖某一频率范围，保证振荡器在某一频率范围内连续随机变化。

电容C上电压Ve < Vmt电压，比较器输出=0

Ve>Vmt时  比较器输出电压升高，直到比较器输出电压高于整形电路(施密特触发器)

的上阈值电压Vr+) ， Ve=Vout=Vt+ 充电结束，

a 27=1，电容上电荷通过M31放电，比较器输出电压下降，当比较器输出端电压低于Vr-，整形电路输出=1，完成一个周期的充放电工作。

充放电的确切时间为：

V=施密特触发器正向翻转阈值

Vi=施密特触发器负向翻转阈值

t放《 t克

即整形电路的输出为低电平的时间远远办地为高电量的时间。

 

二分频电路

振荡器输出信号整形，实现方波输出。

t放约占(t放+t充)1％

 

t放可忽略，仿真改变R1大小即可

电路输出时钟为：

F=1/[2(t放+ t克)]

 

 

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