超级结MOS场效应管寄生振荡分析-MOS场效应管应用-竟业电子

   时间:2022/10/19      阅读:1943   关键词:MOS场效应管

超级结MOS场效应管Coss曲线高度非线性

超级结MOS场效应管应用于PFCDC/DC转换器,作为开关功能,dv/dt+di/dt+电压+电流振荡因受到影响会产生极快

如下图所示

超级结MOS场效应管寄生振荡分析

超级结MOS场效应管关断瞬态此段时间,出现PFC振荡波形振荡电路包括内部和外部振荡电路都会影响超级结MOS场效应管开关性能

PFC电路原理图

 

超级结MOS场效应管寄生振荡分析

如上图所示

MOS场效应管参数

内部寄生电容Cgs+Cgd_int.+Cds +寄生电感Lg1+Ld1+Ls1

外部振荡电路参数:

外部耦合电容Cgd_ext

线路板布局:寄生电感LG+LD+LS

 

MOS场效应管开关速度更快,因寄生电感LD,在关断时,漏源振荡电压栅漏电容Cgd形成栅电感Lg1+LG谐振电路

谐振电路组成:内部+外部栅漏电容Cgd_int.+Cgd_ext.+栅电感Lg1+LG

MOS场效应管导通关断,在谐振电路产生栅极寄生振荡

 

小栅电阻振荡电路Q 增大,出现谐振条件CgdLGLg1间产生大振荡电压寄生振荡

关断瞬态期间负漏极电流引起LSLs1两端电压降

表达式如下

 

超级结MOS场效应管寄生振荡分析

LSLs1两端电压降在栅源电压产生振荡

因此引起:EMI+大开关损耗+栅源击穿+栅极失控+元件失效等。

 

 

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