高压VDMOS场效应管参数有以下几种：

导通电阻+开关时间+外延层厚度及电阻率+阈值电压

 

1.导通电阻

功率VDMOS场效应管耐压不同时，有着不同的电阻占导通电阻比；

高压VDMOS场效应管，外延层或是说漂移区最主要是：电阻RD和JFET区电阻RJ；

耐压满足时，结构用穿通型，因此外延层厚度减小，若JFET增加合适的宽度，RD与RJ即减小；

 

2.开关时间

开关时间要得到更好的优化，那么就要从2个问题去解决：

多晶硅栅电阻RG+输入电容Cin都要减小；

 

多晶硅电阻RG减小解决方案是：

制作过程中多晶硅掺杂剂量提升，设计版图时栅极多晶硅及栅极铝引线接触孔都增加；

 

输入电容Cin都要减小解决方案是：

输入电容中，主要影响原因是密勒电容CGD，即密勒电容CGD减小，那么就要让栅氧化层厚度tox增加，但阈值电压VTH增大（实际应用中要考虑）；

 

3. 外延层厚度及电阻率

越大的外延层电阻率ρ，就有越小的掺杂浓度Nepi，越大VDMOS场效应管击穿电压；

但也会增加导通电阻值Ron，因此击穿满足，小ρ，大Nepi，即非常好；

若导通电阻，即会把电阻率最大值限制了；

计算机仿真时，P-body注入剂量要调整，外延层厚度+电阻率+推阱时间即可得好结构参数；

 

 

4.阈值电压

P-body浓度NA影响阈值电压是主因，栅氧化层厚度tox和栅氧化层面电荷密度Qss，要调节阈值电压Vth，那么就要把推阱时间及P阱注入剂量调整好；

因栅氧化层厚度tox受栅源击穿电压受限制

tox≥VGS/EB

EB=SiO2临界电场

EB值=5*106～107 V/cm

tox值=30 nm～60 nm

P-body掺杂并不均匀，无法用公式计算出准确值VTH，那么，

pbody浓度值及tox栅氧化层厚度值，由优化计算机仿真决定；