高压场效应管热阻及切换损耗-场效应管应用-竟业电子

   时间:2020/12/31      阅读:1194   关键词:场效应管

高压场效应管热阻

热阻RΦJA

计算表达式

RΦJA=RΦJC RΦCS RΦSA(3)

RΦJCjunction-to-case结至管壳热阻片基尺寸相关;

RΦCS是用户参数case-to-sink管壳至汇点热阻与热界面+电隔离相关;

RΦSA:是基本散热与空气流动汇点至环境热阻

 

若:无热损耗+元件装于确定铜量电路板上,而没有静止空气中板上,此时,热阻(定管壳至汇点+汇点至环境)因电源设计师负责

半导体数据手册提供分立封装节至管壳热阻与节至汇点的热阻

 

热阻重要性表现

如:元件额定电流

600V三种不同的元件 它们的额定电流=7A

但是RDS(on)值与RΦJC三者都不同,且差异很大;

原因:场效应管额定电流值因导通损耗公式而变化,低热阻受到很明显影响

 

高压场效应管切换损耗

功率损耗公式如下

Pd=D.RDS(on).ID2 fsw.(Eon Eoff)(2)

第二部与切换损耗关联

IGBT绝缘栅门极晶体管能见到,可fsw.(Eon Eoff)此表达式在功率损耗方面更能体现出;

不同的电流,有着很低的导通损耗或导通损耗

以上所有的损耗切换速度与恢复二极管有关联,场效应管平面型的元件中,提高寿命时间控制体二极管性能在电荷平衡型元件中更容易;

输入电容设计是栅极驱动电流设计合理的关键;

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