如下所示

在UIS工作状态下，MOS场效应管雪崩损坏及无损坏时

 

电子元器件在UIS工作时雪崩损坏模式有2种

即寄生三极管导通损坏+热损坏

 

寄生三极管导通损

即在MOS场效应管内部一个寄生三极管

如下图所示

 

一般情况下，三级管击穿电压<MOS场效应管电压，漏源反向电流流过P区，Rp和Rc产生压降值=三极管BJTVBEon，因不一致的局部单元，弱单元因三级管放大作用及基级电流IB增加让局部三极管BJT导通，因此发生失控，栅极电压不足以关断MOS场效应管；

 

 

热损坏

即MOS场效应管在功率脉冲作用，因增加功耗，结温升高致硅片特性允许临界值,从而产生失效；

 

如下图所示

Rp=源极内部收缩区电阻

Rc=接触电阻

Rp,Rc与温度相关，随其增加而增加，射极和基极开启电压VBE随温度增加而降低，

UIS能力随温度增加而降低；

 

雪崩能量何时考虑

1.电源输出短路时，初级产生大电流+初级电感时；

2.电机是感性负载，启动和堵转过程会产生大冲击电流；

3.MOS场效应管漏源产生大电压尖峰应用时；

4.反激应用，MOS场效应管关断时会产生大电压尖峰；