MOS场效应管雪崩能量与电子元器件本身的热性能及工作状态有关联；

其它表现的形式是：温度；

温度↑与功率水平及硅片封装热性能有关联；

功率半导体对快速功率脉冲时间=100～200μs热响应

如下方式

A=硅片面积，

K常数与硅片的热性能关联

tav=脉冲时间

测量雪崩能量在低电流和长时间下，功率消耗让元件温度上升，它的峰值温度决定失效电流值；

元件很稳定，温度<最高允许结温，即可维持测量；

结温：25℃增至TJMAX

外部环境温度恒定=25℃

电流=60%ID

雪崩电压VAV=1.3*额定电压

 

雪崩能量测量条件：非钳位感性开关UIS下

两值：EAS+EAR

EAS=单脉冲雪崩能量

作用：单次雪崩状态元件消耗最大能量

EAR=重复脉冲雪崩能量

作用：电感值+起始电流值决定雪崩能量

如下图所示

VDD去耦EAS测量电路波形

 

 

Q1=驱动MOS场效应管

DUT=待测量MOS场效应管

L=电感

D=续流二极管

VDD=电源电压

(待测量+驱动)MOS场效应管导通

VDD加在L上，L激磁电流线性↑，→导通时间tp，L电流至最大值；

 

(待测量+驱动)MOS场效应管关断

L电流不能突变，切换瞬间，要维持原大小+方向，D导通；

 

MOS场效应管 DS间有寄生电容,D导通续流,L和CDS形成谐振回路;

L电流↓让CDS电压↑，直至L电流=0，D自然关断，L储存能量全部转换至CDS；

L=0.1mH

IAS=10A

CDS=1nF

理论

电压VDS=CDSVDS2=LIAS2(3)

VDS=3100V

 

实际波形

V(BR)DSS=对应稳压管钳位电压

MOS场效应管DS区域相当于一个反并联二极管

因二极管两端加反向电压，处于反向工作区，DS电压VDS增加接近V(BR)DSS值，

VDS电压即不怎么增加，维持在V(BR)DSS值不变

 

MOS场效应管工作于雪崩区

V(BR)DSS=雪崩电压

单次脉冲加在MOS场效应管上能量即雪崩能量EAS；

EAS=LIAS2/2(4)

PS:MOS场效应管先确定IAS

雪崩电压=正温度系数

MOS场效应管内部某些单元温度增加，耐压值↑，低温度单元自动平衡；

流过多电流提高温度即提高雪崩电压；

雪崩电压决定测量值，去磁期间，雪崩电压随温度增加而变化；