LDMOS场效应管过流比较模块电路分析

如下所示

电路分析

M10=采样开关管，具有较高耐压和较低导通电阻特性

Ccompare=电容

VCompare=比较电压

Csample=采样电容

R2=电阻

VSample=采样电压

LDMOS场效应管栅极电压V GATE=高  LDMOS场效应管导通，M10导通，采集LDMOS场效应管饱和漏极电压；

V GATE=低，LDMOS场效应管关闭，电路不工作；

 

比较电压产生器

LDMOS场效应管栅极=高电平，处于过流；

VGATEDelayed=低电平 ，I1+I2+I3对Ccompare充电，VCompare上升；

采样电压最大值=2.5V，设VCompare=2.7 V，增加电路工作门限电平，抗干扰能力提高，

Csample通过R2快速放电，VSample快速变0，相应输出为非过流状态；

 

VGATEDelayed=高电平，输出VCompare=I1×R3=1.0 V

 

过流比较器用NPN 差分对管输入方式，恒流源偏置。

偏置电路有MOS场效应管开关

V GATE=高，MOS场效应管开关与LDMOS导通，如上电路图中，左边恒流源处于工作状态，增大输出缓冲级驱动电流，比较电路加快速度;

 

V GATE=低，左边恒流源处于不工作状态，总偏置电流非常小，LDMOS场效应管关闭，闲置过流比较器，处于节能模式状态；