12V至5V同步整流降压式MOS场效应管驱动器，提供高轻负载效率；

如： ISL6622A+ISL6622+ISL6622B

共同的特点：3A吸收能力+快速上升/下降时间+开关频率1MHz+高总体效率

 

它的封装

ISL6622：8引线SOIC

作用：

1.PWM模式下把高低侧极驱动至VCC；

2.PSI模式下低侧栅极降到典型值5.75 V；

 

ISL6222A：10引线DFN

作用：

UVCC引脚把高侧栅极驱动5V~12V

低侧栅极可选电阻器,PSI模式下典型电压5.75V+6.75V+7.75V;

 

ISL6622：

1.N沟道MOS场效应管+PWM控制器(VR11.1)结合；

2.微处理器内核电压稳压器解决方案由PWM协议提供；

3.提供PSI模式期间二极管仿真操作，以提高高轻负载效率；

4.电感器电流=0  检测可以实现非连续导通模式DCM

5.检测=“0”低侧MOS场效应管关断

作用：避免吸收电流+消除伴随反向电流功率损失

 

Intersil栅极电压GVOT应用于PSI模式

栅极驱动电压降低，控制轻负载开关损耗降低，ISL6622提供总效率增加；

 

PWM控制器：

有自适应击穿保护功能，避免高低侧MOS场效应管一起导通;

集成高侧栅极至源极电阻器，阻值20kΩ，避免高输入总线差动电压引起自导通；

与VCC一起操作过压保护降至POR阈值

PHASE节点由10kΩ电阻器连接低侧MOS场效应管LGATE栅极，让转换器输出电压约等于低侧MOS场效应管栅极阈值，避免负载高侧MOS场效应管短路；