FDMS36xxS分类

FDMS3602S+FDMS3604AS POWERTRENCH功率级非对称N沟道双MOS场效应管；

 

FDMS36XxS封装为PQFN，在此封装里的所有电子元器件开关节点在内部已经连接，并结合控制+同步MOS场效应管+肖特基体二极管，他们能同步降压转换器布局+走线；

实现30A输出电流最佳状态，专门设计同步+控制MOS场效应管;

MS36xxS用电荷平衡架构+先进封装技术，在高性能计算额定击穿电压，可得导通电阻<2Ω，可减小传导损耗+开关损耗300~600kHz；

 

为减小应用空间

FDMS36xxS将所有的电子元器所集成在一模块中，即可代替更多DPAK+508+5mmx6mmPQFN封装，也也减少线路板空间；

 

FDMS36xx S功率级非对称双MOS场效应管优势

1.屏蔽电压调制架构

2.超低源极电感封装技术

3.低开关噪声

4.高设计可靠性

5.低设计变化敏感度

6.无外部缓冲器级减设计

7.无栅极电阻级减设计

8.低BOM成本

9.低线路板空间