高频功率管即工作频率高的功率管；

HF/VHF 功率MOS 晶体管BLF117，耗散功率200W，工作频率可高达100MHz.

功率MOS管

金属－氧化物-半导体场效应晶体管，是场效应晶体管即场效应管的其中一种，场效应管还包括：MISFET+MESFET+JFET；

功率MOS管是功率集成电子元器件，用垂直结构如：VMOS，VVMOS，VUMOS、SIPMOS，内含数百乃至上万个相互并联的MOSFET单元，提高集成度和耐压性。

功率MOS管属于电压型控制电子元器件，靠多数载流子工作；

 

优势

1.与集成电路直接相连；

2.开关频率可达100MHz；

3.比双极型功率晶体管高10倍；

4.导通电阻有正温度系数，不易发生二次击穿,易于并联；

 

缺点

1.导通电阻大

2.电流密度不易提高

3.100kHz以下频率工作，功率损耗高

4.导电沟道很窄，微米级，单元尺寸精细，制作工艺难；

 

常用进口高频中大功率晶体管型号2SA634、2SA636、2SA648A、2SA670、2SB940、2SB734、2SC2068、2SC2258、2SC2371、2SD1266A、2SD966、2SD8829、S8050、S8550、BD135、BD136等型号。

常用国产高频中大功率晶体管型号3DG41A～3DG41G、3DG83A～3DG83E、3DA87A～3DA87E、3DA88A～3DA88E、3DA93A～3DA93D、3DA151A～3DG151D、3DA1～3DA5、3DA100～3DA108、3DA14A～3DA14D、3DA30A～3DA30D、3DG152A～3DG152J、3CA1～3CA9。