p沟道mos场效应管

英文全称：positive channel Metal Oxide Semiconductor  简称positive MOS （PMOS）

结构：n型衬底，p沟道，靠空穴流动运送电流MOS场效应管。

分类：P沟道增强型场效应管+P沟道耗尽型场效应管

 

P沟道mos场效应管导通条件

在栅极G加触发电压，源极S与漏极D导通；

P沟道的栅极G电压为负极性；

p沟道mos场效应管导通与截止，由栅源电压控制；

P沟道mos场效应管加反向电压导通；

 

P沟道mos场效应管作为开关

栅源阀值=-0.4V

栅源电压差=-0.4V，DS导通，

S电压=2.8V  G电压=1.8V

GS电压=-1V 导通，D=2.8V

S电压=2.8V  G电压=2.8V  VGSw不导通D=0V

2.8V连接源极S，要让mos场效应管导通，继续为系统供电，系统则连接漏极D，利用栅极G控制；

与栅极G相连，GPIO高电平电压>2.8-0.4=2.4V，mos场曲艺管关断，低电平时则导通；

控制栅极G，GPIO电压区域=1.8V

GPIO高电平=1.8V  GS=1.8-2.8=-1V，导通，无法关断；

GPIO低电平=0.1V

GS=0.1-2.8=-2.7V，导通；

此时GPIO无法控制mos场效应管导通或关断；