英飞凌infineon专为谐振拓扑设计：新型650 V CoolMOS™ CFD7

对于工业应用中的开关电源设计，最近的技术趋势包括对高效率和功率密度的需求以及总线电压的增加。这引发了对击穿电压为650伏的电源设备的需求。

配备650 V CoolMOS™ CFD7产品系列英飞凌infineon 满足这些需求。该设备最适合软交换应用中的谐振拓扑，如电信、服务器、太阳能和非车载电动汽车充电。

扩展了著名的CoolMOS CFD7系列的电压范围，650v器件取代了CoolMOS CFD2。增加的650V产品与LLC和零电压开关相移全桥拓扑相匹配，与前几代相比，它们具有许多优势。额外的50V击穿电压，集成的快速体二极管，以及改进的开关性能使该产品系列非常适合当代设计。极低的反向回收电荷和优良的热性能增加了这些优点。

开关损耗以及RDS（on）对温度的依赖性显著降低。产品系列提供了很好的硬交换坚固性。得益于改进的栅电荷（qg）和快速开关性能，650v coolmoscfd7系列在整个负载范围内提高了效率。与竞争对手相比，在主要针对SMPS的应用中，这些MOSFET提供了出色的轻负载和改进的满载效率。此外，一流的研发（on）使客户能够以具有竞争力的价格提高开关电源的功率密度水平。