有机场效应晶体管分类结构及工作原理-竟业电子

   时间:2020/10/9      阅读:2800   关键词:有机场效应晶体管

什么是有机场效应晶体管

英文全称:organic fieldeffect tran-sisbor  

简称:OFET

应用:传感器互补逻辑电路可用于全有机主动显示超大规模集成电路超导材料制备等;

特点:低温加工材料来源广可与柔性衬底兼容成本低;

 

有机场效应晶体管组成

源极source+drain+栅极gate+有机半导体层+栅绝缘层

 

有机场效应晶体管分类

底栅页接触式+底栅底接触式+顶栅顶接触式+项栅底接触式

如下图所示

有机场效应晶体管分类图

 

工作原理

在底栅底接触中,载流子直接从电极边缘注入导电沟道中

在底栅顶接触中,有机半导体把源漏电极和导电沟道隔开,从电极向导电沟道注入的载流子穿过有机半导体层才能到达导电沟道中

增加接触电阻而导致载流子注入效率降低,

结构的电子元器件因电极与有机半导体接触面积大,在有机半导体层很薄,接触电阻变得很小:

项接触是有机半导体材料直接沉积在绝缘层上,膜质量优质,电子元器件性能比底接触好。

 

 

有机场效应晶体管结构

它像电容器

极,漏极有机半导体薄膜的导电沟道可看作一个极板,栅极可作一个极板

栅源间间从VGS负电压绝缘层附近半导体层中感应出带正电的空穴,栅极处会积祟带负电电子

通过调节绝缘层中电场强度可调节源漏间电流

因:源漏间加负电压VDS源漏间产生电流IDS调节VGSVns调节绝缘层中电场强度

随电场强度不同,感应电荷密度也不同源漏间导电通道宽窄也不同,源漏间电流也会改变。

 

 

 

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