MOS管构成缓冲器Buffer和漏极开路门OD门

MOS管场效应管通过搭配可构成各种门电路，74系列芯片电路如下图所示：

 

MOS管如何构成基本与门、或门电路与门

构成：六个MOS管，与门工作如下图所示：看真值表输入输出对应关系。

 

反相器电路：如下图所示：输入和输出状态相反，称之反相器。

输入Vi=低电平：上管导通，下管截止，输出=高电平；

输入Vi=高电时：上管截止，下管导通，输出为低电平。

与非门的电路如下图所示：与非门是同为零，异为一。

 

A,B输入=低电平：1,2管导通，3,4管截止，C端电压与Vdd一致，输出高电平；

A输入高电平，B输入低电平：1,3管导通，2,4管截止，C端电位与1管的漏极保持一致，输出高电平。

A输入低电平，B输入高电平：2,4导通，1,3管截止，C端电位与2管的漏极保持一致，输出高电平。

当A，B输入=高电平：1,2管截止，3,4管导通，C端电压与地一致，输出低电平。

 

CMOS管缓冲器buffer，缓冲器跟反相器是对立的，缓冲器输入与输出相同，反相器输入与输出相反。

 

 

Q1+Q2组成反相器，Q3+Q4组成反相器，相当反了两次相，因此还原了。

 

漏极开路电路：应用于主芯片GPIO口，单片机GPIO口，

它是高阻态，需接上拉电阻；

 

 

 

 

漏极开路门应用-线与逻辑  Z=z1z2z3

 

 

 

“线与”逻辑：多个逻辑单元输出三极管+共用一个上拉电阻+一个逻辑单元输出低电平，即集电极（漏极）开路输出MOS管导通，输出低电平；

全部单元截止，输出端被上拉电阻置为高电平，应用于逻辑仲裁等电路系统。