高速650V，硬开关IGBT TRENCHSTOP™ 在TO-247封装中，5与RAPID 1快速软反并联二极管共同封装，被定义为“同类最佳”IGBT。

英飞凌MOS管场效应管IKW50N65EH5功能概述

1.650 V突破电压

2.与同类最佳的高速3系列相比

3.系数2.5低Qg

4.因数2开关损耗降低

5.VCEsat降低200mV

6.与快速硅二极管技术共同封装

7.低COES/EOS

8.温和的正温度系数VCEsat

9.Vf的温度稳定性

 

优势

1.最佳连接，从而降低效率

2.外壳温度导致更高的设备可靠性

3.在不影响母线电压的情况下，母线电压可增加50 V

4.可靠性

5.更高功率密度设计

 

 

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