CMOS管内部电路组成

输出用P沟道MOS晶体管+误差放大器+预先调整输出电压用电阻+基准电压源

 

保护功能电路组成：

定电流限制+限流电路或foldback电路+过热停机

 

IC与CMOS管比较

IC：内部基准电压源构成双极工艺所使用带隙参考电路； 

CMOS管：输出电压温度特性与双极线性调整器相比较差

 

 

CMOS管

与低ESR电容对应，能改变各自内部的相位补偿或电路构成。

低消耗电流型：2级阶放大器组成

高速型：使用同时满足低消耗电流和高速瞬态响应3级放大器；

在初级放大器和用于输出P沟道MOS晶体管间加入缓冲用放大器，能高速驱动输出用P沟道MOS晶体管的门极容量。

 

高速型内部电路如下图所示：

 

 

输出电压：R1，R2决定；

限定电流：R3，R4决定；

各自能微调而设定了良好精度；

高速型：用于无线电仪器或便携式电子仪器，具有小型化要求，可与陶瓷电容等低ESR电容相对应。