CoolSiC™肖特基二极管2000 V可在高达1500 VDC的直流链路系统中实现更高的效率和设计简化

许多工业应用正在向更高的功率水平过渡，同时将功率损失降至最低，这可以通过提高直流链路电压来实现。英飞凌infineon通过推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5来应对这一挑战，这是市场上第一个击穿电压为2000 V的分立碳化硅二极管。该产品系列适用于直流链路电压高达1500 VDC的应用，额定电流为10至80 a。这使其成为太阳能和电动汽车充电等更高直流链路电压应用的理想选择。

该产品系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14毫米，间隙距离为5.4毫米。再加上高达80A的额定电流，可以实现更高的功率密度。它允许开发人员在其应用中实现更高的功率水平，而只需1200 V解决方案的一半组件数量。这简化了整体设计，并实现了从多级拓扑到两级拓扑的平滑过渡。

此外，CoolSiC肖特基二极管2000V G5采用了。XT互连技术可显著降低热阻和阻抗，实现更好的热管理。此外，HV-H3TRB可靠性测试已证明其对湿度的鲁棒性。二极管既不表现出反向恢复电流，也不表现出正向恢复，并且具有低正向电压的特点，确保了增强的系统性能。
 

2000 V二极管系列与英飞凌infineon于2024年春季推出的TO-247Plus-4 HCC封装中的CoolSiC MOSFET 2000 V完美匹配。CoolSiC二极管2000 V产品组合将通过提供TO-247-2封装来扩展，该封装将于2024年12月上市。CoolSiC MOSFET 2000 V也有匹配的栅极驱动器产品组合。

英飞凌infineon的CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5是市场上第一个击穿电压为2000 V的分立碳化硅二极管。