英飞凌Infineon为汽车应用推出了业界导通电阻最低的80 V MOSFET OptiMOS™7

英飞凌Infineon推出了其新的先进功率MOSFET技术OptiMOS™7 80 V中的第一款产品：IAUCN08S7N013具有显著提高的功率密度，可提供多功能、坚固和大电流SSO8 5 x 6 mm²SMD封装。OptiMOS™7 80 V产品与即将推出的48 V板网应用程序完美匹配。

它专为要求苛刻的汽车应用所需的高性能、高质量和坚固性而设计，如电动汽车中的汽车DC-DC转换器、48 V电机控制，例如电动助力转向（EPS）、48 V电池开关以及电动两轮车和三轮车。

与上一代相比，英飞凌Infineon IAUCN08S7N013的R DS（on）降低了50%以上，目前是业界最好的R DS，最大电阻为1.3 mΩ。在5 x 6 mm²的封装中，用户可以从最小化的传导损耗、卓越的开关性能和最高的功率密度中获益。此外，IAUCN08S7N013还具有低封装电阻和电感以及高雪崩电流能力。对于汽车应用，它具有超出AEC-Q101的扩展资格。

英飞凌Infineon推出了OptiMOS™7 80 V，这是一种新的先进功率MOSFET技术，具有更高的功率密度，可提供多功能SSO8 5 x 6 mm²SMD封装，非常适合电动汽车、电动助力转向和电池开关等要求苛刻的汽车系统中的48 V板网应用。