英飞凌Infineon通过OptiMOS™6 200 V MOSFET为增强功率密度和效率设定了新的行业标准

随着新OptiMOS™6 200 V MOSFET产品系列的推出，英飞凌凭借更高的功率密度、效率和系统可靠性树立了新的行业标杆。
 

英飞凌InfineonOptiMOS™6 200 V MOSFET产品系列的推出，电机驱动应用正在取得飞跃。新产品组合旨在为电动踏板车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供最佳性能。这些新型MOSFET的改进的传导损耗和开关行为减少了电磁干扰（EMI）和开关损耗。

这有利于各种交换应用，包括服务器、电信、储能系统（ESS）、音频、太阳能等。此外，广泛的安全操作区（SOA）和业界领先的R DS（on）相结合，非常适合电池管理系统等静态开关应用。随着新的OptiMOS 6 200 V产品系列的推出，英飞凌树立了一个新的行业基准，提高了功率密度、效率和系统可靠性，为客户带来了利益。

与前代OptiMOS 3相比，OptiMOS 6 200 V产品组合提供了增强的技术功能。它的特点是R DS（开）降低了42%，有助于减少传导损耗和增加输出功率。关于二极管行为，OptiMOS 6200V提供了显著的柔软度增加，是OptiMOS 3的三倍多。

再加上Q rr（典型值）高达89%的降低，开关和EMI行为得到了显著改善。该技术还改进了寄生电容线性（C oss和C rss），减少了开关过程中的振荡并降低了电压过冲。

更紧密的V GS（th）扩展和更低的跨导有助于MOSFET并联和电流共享，从而实现更均匀的温度并减少并联MOSFET的数量。

OptiMOS 6 200 V产品具有改进的SOA，并根据J-STD-020分类为MSL 1。这些符合RoHS的无铅产品符合当前的行业标准。