下一代1200V CoolSiC™ TO263-7封装中的沟槽MOSFET提升电子移动性

英飞凌infineon推出新一代1200 V CoolSiC™ 用于汽车应用的TO263-7中的MOSFET。汽车级碳化硅（SiC）MOSFET一代在车载充电（OBC）和DC-DC应用中提供了高功率密度和高效率，实现了双向充电，并显著降低了系统成本。

与第一代相比，1200 V CoolSiC家族成员的开关损耗降低了25%，从而提供了同类最佳的开关性能。开关行为的这种改进使得能够进行高频操作，从而导致更小的系统尺寸和增加的功率密度。利用大于4V的栅极-源极阈值电压（V GS（th））和非常低的Crss/Ciss比，在没有寄生导通风险的情况下实现了在V GS＝0V的可靠关断。这允许单极驱动，从而降低了系统成本和复杂性。此外，新一代具有低导通电阻（R DS（on）），可在-55°C至175°C的整个温度范围内降低导电损耗。

先进的扩散焊接芯片安装技术（.XT技术）显著提高了封装的热性能，与第一代相比，SiC MOSFET结温度降低了25%。

MOSFET的爬电距离为5.89mm，满足800V系统要求，并减少了涂层工作量。英飞凌提供一系列R DS（on）选项，以满足各种应用需求，包括目前市场上仅有的TO263-7封装中的9 mΩ类型。

KOSTAL在其OBC平台中使用CoolSiC MOSFET

KOSTAL Automobil Elektrik为中国原始设备制造商在其下一代OBC平台中设计了英飞凌infineon最新的CoolSiC MOSFET。科世达是全球领先的汽车充电器系统供应商。凭借其标准平台方法，安全、可靠和高效的产品可在全球范围内满足各种OEM要求和全球法规。

英飞凌infineon负责汽车高压芯片和分立器件的副总裁Robert Hermann表示：“脱碳是这十年的主要挑战，因此也是与客户一起塑造汽车电气化的巨大动力。因此，对与KOSTAL的合作感到非常自豪。”。“该项目突出了我们的标准产品组合在尖端SiC技术支持的车载充电器市场中的强大地位。

未来一代OBC平台的关键组件，英飞凌infineon新的1200 V CoolSiC沟槽MOSFET具有高电压额定值和合格的稳健性。这些优势帮助我们创建兼容的设计，以管理我们最先进的技术解决方案、成本优化和大规模市场交付，”科世达亚洲副总裁兼技术执行经理沈建宇表示。

英飞凌infineon推出新一代1200V CoolSiC™ 用于汽车应用的TO263-7中的MOSFET，提供高功率密度和效率，同时降低系统成本。凭借改进的开关性能和低导通电阻，这些MOSFET能够实现更小的系统尺寸、更高的功率密度和在极端温度下的可靠操作。