英飞凌infineon下一代Eiedriver™ 2EDN栅极驱动器IC为外形系数、更快的UVLO反应和有源输出箝位设置了新的基准

英飞凌infineon发布了一款新的Eiedriver™ 2EDN产品系列。针对空间有限的设计，下一代设备通过提供更高的系统级效率、优异的功率密度和一致的系统鲁棒性，以及更少的外部组件，来补充现有的2EDN驱动IC。在这种扩展的基础上，2EDN系列现在能够在服务器、电信、DC-DC转换器、工业SMP、电动汽车充电站、电机控制、低速轻型电动汽车、电动工具、LED照明和太阳能系统等应用中提升功率开关设备的性能。

新的Eiedriver 2EDN系列包括坚固的双通道低压侧4 A/5 A门驱动器IC。它的目标不仅是快速功率MOSFET，还包括宽带隙（WBG）开关器件。栅极驱动器使工程师能够在许多不同的封装尺寸下满足其设计要求，确保在欠压锁定（UVLO）之前安全关闭，并实现更快的UVLO反应，从而实现稳健的操作和抗噪性。

这14款新设备有多种包装。除了众所周知的8针DSO、TSSOP和WSON封装选项，英飞凌现在还提供了世界上最小的6针SOT23封装（2.8 x 2.9毫米2）和TSNP封装（1.1 x 1.5毫米2）变型。SOT23和TSNP封装消除了enable（EN）信号，该信号通常不被使用。因此，它们能够为空间有限的设计提供完美的平衡，从而实现更高的功率密度和更高的车载温度循环（TCoB）稳健性。

设计师可以在4 V和8 V UVLO选项之间进行选择，以在异常情况下提供即时电源开关保护。从本质上讲，新产品带来了更好的UVLO过滤时间，更快地从UVLO关闭状态唤醒，以及从启动和突发模式更快两倍以上的UVLO反应。此外，它们具有高精度、精确的轨对轨输出，以及在V DD=1.2 V时的快速有源输出箝位，通常仅在20 ns内箝位以获得额外的鲁棒性。

英飞凌infineon新推出的EiedDriver 2EDN系列包括坚固的双通道低压侧4 A/5 A门驱动器IC。它的目标不仅是快速功率MOSFET，还包括宽带隙（WBG）开关器件。栅极驱动器使工程师能够在许多不同的封装尺寸下满足其设计要求，确保在欠压锁定（UVLO）之前安全关闭，并实现更快的UVLO反应，从而实现稳健的操作和抗噪性。
 

英飞凌infineon新推出的EiedDriver 2EDN系列包括坚固的双通道低压侧4 A/5 A门驱动器IC。它的目标不仅是快速功率MOSFET，还包括宽带隙（WBG）开关器件。栅极驱动器使工程师能够在许多不同的封装尺寸下满足其设计要求，确保在欠压锁定（UVLO）之前安全关闭，并实现更快的UVLO反应，从而实现稳健的操作和抗噪性。

英飞凌新推出的EiedDriver 2EDN系列包括坚固的双通道低压侧4 A/5 A门驱动器IC。它的目标不仅是快速功率MOSFET，还包括宽带隙（WBG）开关器件。栅极驱动器使工程师能够在许多不同的封装尺寸下满足其设计要求，确保在欠压锁定（UVLO）之前安全关闭，并实现更快的UVLO反应，从而实现稳健的操作和抗噪性。