英飞凌infineon新OptiMOS™ 功率MOSFET封装为25 V至100 V变型的PQFN 3.3 x 3.3 mm2提供了创新的电源关闭技术

2022年1月7日—设计现代电力系统时，高功率密度、优化性能和易用性是关键要求。为了为终端应用中的设计难题提供实用解决方案，英飞凌infineon推出了新一代OptiMOS™ 电源关闭（SD）功率MOSFET。它们采用PQFN 3.3 x 3.3 mm 2封装，电压等级从25 V到100 V不等。该封装在功率MOSFET性能方面树立了新的标准，提供了更高的效率、更高的功率密度、更好的热管理和更低的材料清单（BOM）。PQFN解决的应用包括电机驱动、服务器和电信和/或ing的开关电源以及电池管理系统。
 

与标准的漏极下降概念相比，最新的源极下降封装技术能够在相同的封装外形中实现更大的硅芯片。此外，可以减少封装造成的损失，限制设备的整体性能。与最先进的漏极封装相比，这使得RD（on）减少了多达30%。在系统层面上的好处是缩小了外形尺寸，有可能从SuperSO8 5 x 6 mm 2封装移动到PQFN 3.3 x 3.3 mm 2封装，空间减少约65%。这样可以更有效地利用可用空间，提高终端系统的功率密度和系统效率。

 

此外，在“源向下”概念中，热量通过热垫直接散发到PCB中，而不是通过键合线或铜夹。这将热阻R thJC提高了20%以上，从1.8 K/W降至1.4 K/W，从而简化了热管理。Infineon提供两种不同的封装外形版本和布局选项：SD标准门和SD中心门。标准栅极布局简化了漏极封装的插入式替换，而中心栅极布局实现了优化和更容易的并行化。这两个选项可以带来PCB中的最佳设备布置、优化的PCB寄生和易用性。

新一代OptiMOS™ 英飞凌infineon的源极下降（SD）功率MOSFET采用PQFN 3.3 x 3.3 mm2封装，电压等级从25 V到100 V不等。与最先进的漏极下降封装相比，该封装可将RDS（on）降低30%。此外，热量通过热垫直接散发到PCB中，而不是通过键合线或铜夹。这使RthJC的热阻提高了20%以上，从1.8 K/W降至1.4 K/W。

 

新一代OptiMOS™ 英飞凌的源极下降（SD）功率MOSFET采用PQFN 3.3 x 3.3 mm2封装，电压等级从25 V到100 V不等。与最先进的漏极下降封装相比，该封装可将RDS（on）降低30%。此外，热量通过热垫直接散发到PCB中，而不是通过键合线或铜夹。这使RthJC的热阻提高了20%以上，从1.8 K/W降至1.4 K/W。

 

新一代OptiMOS™ 英飞凌的源极下降（SD）功率MOSFET采用PQFN 3.3 x 3.3 mm2封装，电压等级从25 V到100 V不等。与最先进的漏极下降封装相比，该封装可将RDS（on）降低30%。此外，热量通过热垫直接散发到PCB中，而不是通过键合线或铜夹。这使RthJC的热阻提高了20%以上，从1.8 K/W降至1.4 K/W。