CoolGaN™ - the new power paradigm

氮化镓（GaN）比硅具有根本的优势。特别是高临界电场使得功率半导体器件具有比动态导通电阻大、比电容小的优点，这使得GaN-HEMTs具有很好的高速开关性能。不仅因为由此带来的功率节省和系统总成本的降低，它还允许更高的工作频率，提高了功率密度以及整个系统的效率。

 

GaN功率晶体管最重要的特性是其反向恢复性能。作为英飞凌infineon的CoolGaN™ 晶体管没有少数载流子，也没有体二极管，它们不会表现出反向恢复。

最终效率和可靠性

英飞凌infineon CoolGaN™ 是一种高效的GaN晶体管技术，用于在高达600V的电压范围内进行功率转换。凭借在半导体市场的长期经验，英飞凌infineon 将e模式概念推向了成熟，实现了端到端的大批量生产。首创的质量保证了最高的标准，并提供了最可靠和执行的解决方案，在所有的GaN-HEMTs在市场上。

 

基于CoolGaN™ 的开关电源电路可以受益于提高的能源效率和提高的功率密度，这是最先进的硅器件所不可能的。在200-250kHz以上的高频操作中，开关速度是决定能量如何传递的关键。英飞凌CoolGaN的超快切换速度™ 使死区时间非常短。预计使用寿命超过15年，故障率低于1适合，客户可以依赖其可靠性和质量。

 

GaN EiceDRIVER系列

与英飞凌infineon 的所有功率晶体管一样，CoolGaN™ 系列由一系列门驱动器支持，包括GaN EiceDRIVER系列

使用英飞凌infineon 的单通道隔离GaN EiceDRIVER™ 享受设计的简单性集成电路，开发工作在高压冷却高效 600V设计和缩短上市时间，广泛提供GaN™评估板。

 

英飞凌infineon 的高性能CoolGaN™ e型HEMT有顶部和底部冷却SMD封装。考虑到最高的效率和功率密度以及最佳的热行为在各自的应用。这些e模式HEMT面向消费者和工业应用，如服务器、数据通信、电信、适配器/充电器、无线充电和音频，具有市场上最强大和性能最好的概念。