英飞凌infineon功率变换系统的拓扑结构

在住宅区和家庭中通常使用功率低于10千瓦的储能系统。系统通常采用两个需要双向工作的级：DCDC和ACDC级。

英飞凌infineon通过应用市场领先的碳化硅（SiC）和硅（Si）MOSFET以及IGBT技术与最适合的栅极驱动器搭配，实现了具有最高效率和功率密度的全系统解决方案。

推荐产品：

1.碳化硅（SiC）MOSFET:CoolSiC™

2.低电压MOSFET（<300V）OptiMOS™

3.高压MOSFET（>400V）：CoolMOS™

4.分立IGBT:IGBT

5.门驱动器IC:EiceDRIVER™

英飞凌infineon  10千瓦至125千瓦功率转换系统的拓扑结构

光伏系统。在许多情况下，变电站存储系统使用多个125kW系统。该电源级的主要拓扑结构为三电平ANPC或3电平有源自然箝位转换器。除了这种拓扑结构，有时还根据蓄电池和电网连接电压使用标准的两级拓扑。

 

这些系统的主要目的，安装在办公室、工厂和超市，主要是为了自我消费。过量的非自耗能源储存在电池中，以供以后使用或反馈给电网以赚取额外收入。

 

这种系统的一个关键要求是减少损失，从而最大限度地提高往返效率。目前，这些系统可以处理高达1500V直流母线电压。

 

推荐产品：

1.1200 V模块，CoolSiC™ MOSFET：CoolSiC™

2.600 V CoolSiC™  MOSFET：CoolSiC™

3.650 V CoolMOS™ 高压MOSFET（>400V）：CoolMOS™

4.闸门驱动IC：EiceDRIVER™