英飞凌infineon高压侧保护解决方案

电路图如下所示：

在高压侧保护中，断开连接的MOSFET与蓄电池组的正极端子串联。

优点：不绕地，不吊地。

缺点：需要带充电泵的栅极驱动器来驱动mosfet。

英飞凌infineon低压侧保护解决方案

电路图如下所示：

在低压侧保护中，断开的MOSFET与蓄电池组的负极端子串联。

优点：易于实施，无需为闸门驱动器充电泵。

缺点：悬空接地→通过电池外壳接地旁路的电位，影响通信和操作。