英飞凌infineon为电动汽车推出新一代功能强大、节能的IGBT和RC-IGBT器件

电动汽车市场继续加快步伐，电池电动汽车（BEV）和插电式混合动力汽车（PHEV）的销量都有强劲增长。到2030年，电动汽车的产量份额预计将实现两位数增长，约为45%，而2024年为20%。

英飞凌infineon正在通过推出新一代产品来应对对高压汽车IGBT芯片日益增长的需求。其中包括专为400V和800V系统设计的EDT3（第三代电动传动系统）芯片，以及专为800V系统量身定制的RC-IGBT芯片。这些设备增强了电动传动系统的性能，使其特别适用于汽车应用。

EDT3和RC-IGBT裸片经过精心设计，可提供高质量和可靠的性能，使客户能够创建定制的电源模块。新一代EDT3代表了EDT2的重大进步，在高负载下总损耗降低了20%，同时在低负载下保持了效率。这一成就得益于优化，最大限度地减少了芯片损耗，提高了最大结温，平衡了高负载性能和低负载效率。因此，使用EDT3芯片的电动汽车实现了更长的续航里程并降低了能耗，提供了更可持续、更具成本效益的驾驶体验。

英飞凌infineon科技公司汽车高压芯片和分立器件副总裁Robert Hermann表示：英飞凌作为IGBT技术的领先供应商，致力于提供卓越的性能和可靠性，凭借我们对创新和脱碳的坚定承诺，我们的EDT3解决方案使我们的客户能够在应用中获得理想的结果。

EDT3芯片组有750 V和1200 V两种等级，可提供高输出电流，使其非常适合各种电动汽车的主逆变器应用，包括电池电动汽车、插电式混合动力电动汽车和增程式电动汽车（REEV）。它们减小的芯片尺寸和优化的设计便于创建更小的模块，从而降低了整体系统成本。此外，这些器件的最高虚拟结温为185°C，最大集电极-发射极电压额定值高达750 V和1200 V，非常适合高性能应用，使汽车制造商能够设计出更高效、更可靠的动力系统，帮助延长行驶里程并减少排放。

Leadrive创始人兼总经理Ing.Jie Shen博士表示：英飞凌作为Leadrive的主要IGBT芯片供应商和合作伙伴，始终如一地为我们提供创新的解决方案，带来系统级的优势，最新的EDT3芯片优化了损耗和损耗分布，支持更高的工作温度，并提供了多种金属化选项。这些功能不仅减少了每安培的硅面积，还加速了先进封装技术的采用。

1200 V RC-IGBT通过在单个芯片上集成IGBT和二极管功能来提高性能，与单独的IGBT和二极管芯片组解决方案相比，可提供更高的电流密度。这一进步转化为系统成本效益，归因于电流密度的增加、可扩展的芯片尺寸和组装工作量的减少。

英飞凌infineon最新的EDT3 IGBT芯片技术现已集成到HybridPACK™Drive G2汽车电源模块中，为整个模块组合提供了增强的性能和功能。该模块在750 V和1200 V等级内提供高达250 kW的功率范围，增强了易用性，并具有新功能，如下一代相电流传感器和片上温度传感的集成选项，有助于提高系统成本。

所有芯片设备都提供定制的芯片布局，包括片上温度和电流传感器。此外，可根据要求提供烧结、焊接和粘合的金属化选项。