英飞凌infineon CoolSiC™肖特基二极管2000 V现已采用TO-247-2封装，实现了更高的效率和简化的设计

许多工业应用正朝着更高的功率水平发展，同时将功率损失降至最低，实现这一点的一种方法是增加直流链路电压。英飞凌infineon正在通过CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5产品系列来应对这一市场趋势，该产品系列是2024年9月推出的首款击穿电压为2000 V的分立碳化硅二极管。

产品组合现已扩展到包括to-247-2封装中的肖特基二极管，该封装与大多数现有的to-247-2封装引脚兼容。该产品系列非常适合直流链路电压高达1500 V DC的应用，使其成为太阳能和电动汽车充电器的理想选择。

TO-247-2封装中的CoolSiC肖特基二极管2000 V G5的额定电流范围为10至80 A。与1200 V解决方案相比，它允许开发人员在应用中实现更高的功率水平，同时将元件数量减少一半。这简化了整体设计，并促进了从多级拓扑到两级拓扑的无缝过渡。
 

此外，TO-247-2封装中的肖特基二极管也包含在内。XT互连技术，显著降低热阻和阻抗，从而增强热管理。湿度鲁棒性已通过HV-H3TRB可靠性测试得到验证。二极管既没有反向恢复也没有正向恢复，并且具有低正向电压的特点，确保了系统性能的提高。

2000 V二极管系列与英飞凌infineon于2024年春季推出的TO-247Plus-4 HCC封装中的CoolSiC MOSFET 2000 V完美匹配。除了to-247-2封装外，CoolSiC肖特基二极管2000 V也可采用to-247PLUS-4 HCC封装。

英飞凌infineon的CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5产品系列现已扩展到to-247-2封装中包括肖特基二极管。