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英飞凌Infineon全新的Source Down 3.3 x 3.3 mm²PQFN系列-竟业电子

   时间:2022/12/21      阅读:712    关键词:英飞凌Infineon

 

英飞凌InfineonPQFN双面冷却25-150 V产品组合添加到其OptiMOS™ 中源极下降功率MOSFET系列

不断推进未来电力电子系统的设计,以提高最先进的性能和功率密度。为了支持这一趋势,英飞凌Infineon推出了一个全新的Source Down 3.3 x 3.3 mm²PQFN产品系列,其型号为25-150 V,带有底部冷却(BSC)和双面冷却(DSC)变体。新产品系列在组件层面提供了显著增强,为DC-DC电源转换提供了有吸引力的解决方案,为服务器、电信、OR ing、电池保护、电动工具和充电器应用的系统创新开辟了新的可能性。

 

新产品组合将英飞凌Infineon最新的MOSFET技术与前沿封装相结合,将系统性能提升到新的水平。在源极向下(SD)概念中,MOSFET管芯-源极触点朝封装的封装面翻转,然后焊接到PCB上。此外,该概念包括在芯片顶部改进的夹子设计,用于漏极接触和市场领先的芯片与封装面积比。

 

随着系统形状因素的不断缩小,两个关键方面至关重要:减少功率损耗和优化热管理。与同类最佳的PQFN 3.3 x 3.3 m²降压装置相比,新系列的导通电阻(R DSon))显著提高了35%InfineonOptiMOS Source Down PQFN(带双面冷却)提供了一个增强的热接口,可将电源损耗从交换机转移到散热器。双面冷却变体提供了将电源开关连接到散热器的最直接方式,与相应的底侧冷却电源下降变体相比,功耗能力提高了三倍。

 

有两种不同的封装外形变体可为PCB布线提供最高的灵活性。传统的标准闸门变体提供了对现有排水设计的快速而简单的修改。中央门(CG)变体为并联设备提供了新的可能性,以尽可能缩短驱动器到门的连接。整个OptiMOS Source Down PQFN 3.3 x 3.3 mm²25-150 V产品系列具有高达298 A的出色连续电流能力,可实现最高的系统性能。

 

英飞凌Infineon全新的Source Down 3.3 x 3.3 mm²PQFN系列

 

英飞凌InfineonOptiMOS Source Down PQFN 3.3 x 3.3 mm²25-150 V产品系列包括两个占地面积版本,标准和中心门。与同类最佳的PQFN 3.3 x 3.3 m²降压装置相比,新系列的导通电阻(RDSon))显著提高了35%。通过双面冷却封装,它提供了一个增强的热接口,以将功率损耗从交换机重定向到散热器,与相应的底侧冷却电源下降变体相比,功耗增加了三倍。

 

 

 

 

 

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