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英飞凌Infineon CoolSiC™ MOSFET应用于太阳能逆变器-英飞凌资讯-竟业电子

   时间:2020/11/23      阅读:724    关键词:英飞凌Infineon

 

一体化解决方案具有最高的效率等级:来自Fronius的太阳能逆变器使用英飞凌Infineon CoolSiC™ MOSFET

Fronius International GmbH推出了Symo GEN24 Plus太阳能逆变器。它的多流技术使其适用于支持能源自给自足的广泛应用。它不仅为家庭提供直接使用的电力,还为储能系统提供接口。此外,混合型逆变器设计用于水加热和电动汽车充电,并可连接到外部系统。所有这些都要归功于英飞凌Infineon 的碳化硅(SiC),其效率超过98%。结合比亚迪的高压存储,Symo GEN24 Plus在10千瓦级的系统性能指数(SPI)中达到了94%的创纪录值。它是这一组合中唯一一个达到A级能效的。

 

Fronius太阳能事业部电力电子研发负责人Andreas Luger说:“SiC模块可用于制造非常节能、耐用和可靠的逆变器。“这项技术使开关频率显著提高。与上一代相比,其功能得到了显著改进,但其尺寸仍然具有可比性。除了混合型逆变器的标准连接选项外,每个设备现在还具有安全电源和备用电源的输出。”

 

英飞凌Infineon工业电源控制部门总裁彼得·沃尔(Peter Wawer)说:“为了最大限度地发挥SiC的优势,Fronius和Infineon的工程师共同优化了模块的布局和芯片组装。“最终,开发团队之间的密切沟通使系统优势能够满足客户需求。基于我们经过测试的Easy模块,逆变器的升压级现在使用1200 V CoolSiC™ MOSFET与CoolSiC二极管结合使用。因此,这种完整的SiC解决方案可确保最高效率。”

 

全碳化硅也用于电池阶段。双向DC/DC变换器使用了一个简易的1b1200v,rds(on)为45mΩ。逆变级在Easy 2B模块中实现了SiC混合解决方案,该模块也根据Fronius的需要进行了定制。NPC1拓扑结合了硅基650 V沟道顶部™ 5个IGBT和带CoolSiC Schottky二极管的快速二极管。所有的级都由eDiver控制™ IC门驱动器。

 

将升压电路中的sicmosfet模块和电池输入与逆变级的混合模块相结合,确保了最佳的效率和成本比。由于英飞凌Infineon的SiC功率半导体具有高功率密度,Fronius的Symo GEN24 Plus提供了许多功能,如备用电源、存储连接、多MPP跟踪器和能量管理。逆变器重量仅为24 kg,体积较小(HWD 594 x 527 x 180 mm 3)。它的主动风冷可以降低电力电子部件的温度,从而延长使用寿命。逆变器的功率等级为6、8和10 kW。Fronius主要在欧洲、南美和澳大利亚供应这种逆变器。

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