据媒体报道，三星3D NAND芯片2024量产，采用堆叠工艺。

韩《首尔经济日报》，三星2024年量产超过300层的第9代3D NAND，采用双堆叠技术。

包括个独立过程中创建NAND存储器。

2020年，三星从第7代176层3D NAND芯片开始首次采用双堆叠技术。
 

SK海力士宣布计划于2025年开始量产321层3D NAND，采用三重堆叠技术。

及生产三组独立的3D NAND层，每组分别堆叠为120层、110层和91层，然后组合成一个芯片。