MOS场效应管开关时间受到测量电路的信号源阻抗RS与漏极负载电阻RL很大的影响。

测量条件对VDD、RL、VGS、 ID以及测量电路作了规定。

信号源阻抗规定连接50Ω的脉冲发生器。

实际使用时，通过减小RS实现高 速化。

该项几乎不受温度的影响。

接通延迟时间td(on)：从输入栅压波形上升10%到输出电压波形上升10%的时间。

该值略受VGS(off) 值的影响， VGS(off)的值越小时间越短。

 

上升时间tr是：从输出电压波形上升10%到90%的时间。该值受到VGS和VGS(off)值的影响， VGS的 值越大时间越短，而VGS(off)的值越小时间越短。

断开延迟时间td(off)是：从输入栅压波形下降90%到输出电压波形下降90%的时间。

该值受到VGS和 VGS(off)值的影响，VGS的值越小时间越短，而VGS(off)的值越大时间越短。

MOS场效应管在开关工作并联时，为了保 持过渡时的电流平衡，使VGS(off)一致是非常有效的方法。

 

下降时间tf是，从输出电压波形下降90%到10%的时间。

该值最易受到负载电阻RL的影响，RL越大 （小负载）时间越长。

这是由断开时给漏极/源极电容Cds充电的时间常数得出的结论。

 

 

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