噪声源：电源+运行环境+电场和磁场+辐射波+片上晶体管的开关活动

为什么要有CMOS场效应管反相器噪声容限

为了在特定的噪声条件下提供适当的晶体管开关，电路的设计必须包括这些特定的噪声容限。

 

什么是CMOS场效应管反相器噪声余量

纯数字反相器：有电容，逻辑从高到低，并不会立即切换。

逆变器逻辑：高电平→低电平，这一区域中，会有一个不清楚区域，此区电压高或底是无法判断的，此时刻即噪声余量。

 

两个噪声容限：NMH高+NML低

逻辑高电平：驱动设备最小电压输出（VOH min）> 接收设备最小电压输入（VIH min）。

导线上有噪声，驱动设备输出端的逻辑高信号可能会以较低电压到达接收设备的输入端。

 

逻辑高电平的噪声容限

NMH =VOH min – VIH min

即可正确接收逻辑高电平信号的容差范围。

 

噪声容限逻辑低电平

NML =VIL max – VOL max，

规定线路上逻辑低电平信号的容限范围。

CMOS场效应管反相器噪声容限越小，电路对噪声越敏感。