电源应用中，驱动门开关MOS场效应管简易法应用PWM控制器，如下图所示

直接驱动：最难点是最优化电路布线。
此为接地门电路驱动

在PWM和MOS场效应管间距离很大。
此距离会引起，由门驱动和地间回路造成寄生电感，即降低开关速度和引起在MOS场效应管驱动波形中的噪声。

使用地线层，也不能消除寄生电感。
原因：地线层仅比地回路的寄生电感小些。
要减小驱动连线的寄生电感，必须要有较宽PCB布线。

直接驱动：PWM控制器的电流驱动能力。
这将限制，由PWM控制器驱动的，在最佳工作状态的芯片的最大尺寸。
让PWM直接驱动MOS场效应管的另一个限制因素，驱动器内部的功率损耗。解决方案：外接栅极电阻。

直接驱动电路：要考虑空间限制+成本，即需对控制器的布线分析。
驱动MOS场效应管的电流过高，PWM内部敏感模拟电路可能会被破坏。
随着MOS场效应管的尺寸的变大，对应的栅极驱动电荷也增加。

如何选择旁路电容
此电容和直接驱动应用电路中，PWM控制器的旁路电容一样。
原因：在导通时它提供栅极驱动电流。

如：孤立驱动电路中，一个IC或孤立元件的门驱动，此电容必须放得很近，最好是直接接在偏置端和地线间。
要考虑：

1.静态电流即无信号输入电流
它可能变化10倍，在集成电路输入状态下，它本身就会在旁路电容上产生一些纹波，公式：



2.波动成分是栅极电流
实际电流振幅大部分时间并不知道
但由栅极电荷量，可得旁路电容的电压纹波值。
在导通期间，旁路电容放电给栅极提供电荷，转移到MOS场效应管的输入电容上。纹波公式：


与叠加原理结合，旁路电容CDRV在允许范围内的电容值公式：

fdrv=工作频率
QG=栅极总电荷
IQ,HI=最大静态电流
DMAX=最大占空比

此情况是在如下条件下：
门驱动电压幅值=0
漏源电压=0