英飞凌 Infineon最高密度QML-V认证QDR-II+SRAM-竟业电子

   时间:2021/5/11      阅读:1411   关键词:英飞凌 Infineon

英飞凌 Infineon推出业界最高密度QML-V认证QDR-II+SRAM,简化系统卫星图像处理

 

英飞凌 Infineon 今天宣布推出下一代144 Mb四数据速率II+QDR®-II+SRAM,通过DLA合格制造商列表V级(QML-V)认证。QML-V是航空航天级集成电路的最高质量和可靠性标准认证。这种抗辐射(rad-hard144mbqdr-II+SRAM是一种独特的高速外部高速缓存,非常适合雷达、机载数据处理和空间网络应用。

 

在过去的十年中,航空航天工业经历了一个范式的转变,从地面数据处理转向系统数据处理,使用新技术提高了计算能力,降低了延迟。与具有更高延迟和内存限制的DRAM不同,新的144 Mb QDR-II+SRAM提供了更高的性能,能够以更好的分辨率和更快的处理速度进行系统内卫星图像处理,从而降低了雷达和成像应用中的总体系统复杂性。

 

作为市场上高密度QDR-II+SRAM的领先供应商,英飞凌 Infineon成功的QML-V认证再次证明了我们商用现货组件的固有产品能力,以满足高可靠性细分市场的最严格要求,”Helmut Puchner说,英飞凌Infineon 航空航天和国防副总裁研究员。

 

该设备是英飞凌 Infineon 最新一代的rad-hard QDR-II+sram,前几代已经在各种空间项目中采用,例如美国宇航局的地表水和海洋地形(SWOT)研究卫星任务中使用了合成孔径雷达技术。rad-hard QDR-II+SRAM最初是作为一种工业网络存储器开发的,现在被用作使用RadStoprad-hard存储器的基线设计® 技术,英飞凌 Infineon 的专有设计和工艺强化技术,可实现更高水平的辐射性能,同时提供空间限制应用所需的吞吐量。

 

高性能144 Mb QDR-II+SRAM的最高工作频率为250 MHz,在165球陶瓷柱网阵列(CCGA)封装中提供高达36 Gbps的吞吐量。该设备是拉德硬达200克拉(国际单位制),是锁存免疫,提高系统的可靠性在恶劣的环境。

英飞凌 Infineon最高密度QML-V认证QDR-II+SRAM

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