MOS场效应管驱动器设计时特别要关注，峰值驱动电流及开关时间的要求；

应用要求MOS场效应管开关速度决定元件的驱动器

 

应用中最理想上升或下降时间受以下因素影响：

开关损耗+电磁干扰EMI+引线/电路感应系数+开关频率

 

栅极电容+转变时间与

MOS场效应管驱动器额定电流关系表达式

如下所示

dT=[dV×C]/I

 

dT=开/关时间

dV=栅极电压

C=栅极电容

I=MOS场效应管峰值驱动电流

 

元件栅极总电容：由栅极总电荷QG决定

表达公式如下

QG=C×V

 

I=QG/dT

电流是恒定：电流平均值=元件驱动器额定峰值电流/2

 

MOS场效应管驱动器功率

受驱动器输出峰值电流驱动能力影响，最大偏压决定额定峰值电流，

若；低MOS场效应管驱动器偏压，弱峰值电流驱动能力

 

MOS场效应管峰值驱动电流，可从供应商数据手册参数计算

 

元件

栅极电荷=20nC(Q)

栅极电压=12V(dV)

开/关时间=40ns(dT)

获得的

I=0.5A

 

时间恒定法，也可选择MOS场效应管驱动器

如：MOSFET驱动器电阻+外部栅极电阻+集中电容

Tcharge=((Rdriver+Rgate)*Ctotal)*TC (4)

Rdriver=RDS-ON=输出驱动器级的导通电阻

Rgate=驱动器+MOSFET栅极间一个外部栅极电阻

Ctotal=栅极总电容

TC=时间常数的值

 

Qtotal=68nC

Vgate=10V

Tcharge=50nsec

TC=3

Rgate=0Ω

 

如：Rdriver=(Tcharge/TC*Ctotal)-Rgate

可得Rdriver=2.45Ω

 

C一个时间常数，TC=3表示充电后，电容充电量=充电电压95%

栅极电压=6V，MOS场效应管完全处于“开”状态

TC=1时，即充电量=充电电压63%，应用需求可能满足，允许用驱动器IC的额定电流更低；

 

 

 

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