1.MDmesh™ V MOS场效应管有最低导通电阻

它让650V MOS场效应管RDS(ON)值<0.079Ω，有着很凑封装，能效，功率提升，适合应用于低能耗和小尺寸率转换系统；

如：STP42N65M5，33A，TO-220封装，导通电阻0.079Ω；

大电流的，封装Max247，RDS(ON)=0.022Ω

封装TO-247 RDS(ON)=0.038Ω

RDS(ON)值改进，可降低电源和PFC电路电能损耗，推进更低能耗+小尺寸产品，

 

多漏网格技术，改进晶体管漏极结构，降低漏源电压降，MDmesh V单位面积导通电阻RDS(ON) 值改进，也降低通态损耗，栅电荷量(Qg)非常低，应用于高速开关时可实现非常不错的能效，可提供低 FOM灵敏值

FOM灵敏值=RDS(ON) x Qg

MOS场效应管击穿电压：650V 产品 > 600V产品

 

2.MDmesh™ V MOS场效应管关断波形很平滑，被栅极控制容易些；

因降低了EMI，更容易设计滤波；

 

3.MDmesh™ V MOS场效应管节能及功率密度非常高，可提高终端产品节能；