英飞凌IPP051N15N5功能参数Datasheet-mos场效应管知识-竟业电子 

   时间:2020/12/4      阅读:2415   关键词:mos场效应管

英飞凌OptiMOS 5150V功率MOSFET特别适用于低电压驱动,如叉车和电动滑板车,以及电信和太阳能应用。新产品在不影响FOM gdFOM OSS的情况下,在R DSon)(与SuperSO8的下一个最佳替代方案相比高达25%)和Q rr有了突破性的降低,有效地减少了设计工作量,同时优化了系统效率。此外,超低的反向恢复电荷(SuperSO8qrr=26nc)增加了换向的坚固性。

 

英飞凌mos场效应管IPP051N15N5特征概述

1.降低研发成本(开),而不影响FOM gdFOM oss

2.较低的输出电荷

3.超低反向恢复费用

4.增加了减刑的坚固性

5.开关频率可能更高

 

优势

1.减少并联

2.采用SuperSO8同类最佳产品实现尺寸缩减

3.设计更高的功率密度

4.更坚固的产品

5.降低系统成本

6.改善EMI行为

 

 

英飞凌mos场效应管IPP051N15N5潜在应用

1.低压驱动器

2.电信

3.太阳能

 

英飞凌mos场效应管IPP051N15N5参数    Datasheet下载

英飞凌mos场效应管IPP051N15N5参数

 

 

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