大规模集成电路中应用MOS管，即MOS场效应管，它的基本功能是：开关+放大+恒流+阻抗变换+可变电阻；

与三极管相比

优势

1.输入电阻很高；

2.对信号源几乎不取电流，有利于输入信号稳定，输入级放大理想电子无器件；

3.噪声低

4.温度稳定性好

 

缺点

因电压控制电流的电子元器件，栅源间电压控制漏极电流，放大系数低频跨导小，放大能力差；

 

场效应管功能：开关

因场效应管是多子导电，不像三极管会因基极电流引起电荷储存效应，因此开关的速度很快，并且可作高频大电流应用；

场效应管开关可在小电压及电流下工作，因此更容易集成在硅片上，经常应用于在大规模集成电路中；

 

开关功能

如下图所示：

直流信号调制电路

VT1+VT2工作于开关状态

栅极接入方波电压

它们的频率相同，相位相反

VT1导通  VT2截止   Ui向C充电；

VT1截止  VT2导通   c放电，输出Uo

即输入直流电压ui相关交变电压；

 

 

放大功能

如下图所示

mos场效应管放大器，输入信号Ui经CI耦合至管子VT栅极

与原栅极负偏压叠加，漏极电流I1相应变化，在负载电阻RD上产生压降，过C2隔离直流后输山，输出端即得到放大信号电压UO；

In与Ui同相  UO与Ui反相

PS：场效应管输入阻抗高，耦合电容小，不用电解电容器；

 

 

 

 

恒流功能

电路图如下所示

 

原理：过场效应管漏极电流ID因故增大，源极电阻Rs上形成负栅压增大，ID回落，反之，ID保持恒定，恒定电流计算公式如下所示：

PS：UP为场效应管夹断电压

 

可变电阻功能

自动电平控制电路如下图所示

 

 

输入信号Ui增大，致Uo增大

Uo经二极管VD负向整流，形成栅极偏压一，UG绝对值增大，

场效应管VT等效电阻增大，Ri与其分压比减小，使进入放大器信号电压减小，最终让Uo保持不变。

 

阻抗变换功能

场效应管源极输出器如下图所示：

 

 

因场效应管输入阻抗高，源极输出器有高输入阻抗Zi和低输出阻抗Zo

应用于多级放大器高阻抗输入级作阻抗变换；