英飞凌Infineon将PQFN中的40v设备添加到OptiMOS™中 源降功率MOSFET家族

现代电力系统设计要求高功率密度水平和小尺寸因数，以最大限度地提高系统级性能。英飞凌Infineon通过专注于组件级增强的系统创新来应对这一挑战。

除了2月份推出的25V设备外，英飞凌Infineon现在还推出了OptiMOS™ 40v低压功率MOSFET推向市场。它封装在Source Down（SD）PQFN中，占地面积为3.3 x 3.3 mm 2。40V SD MOSFET主要解决服务器、电信和或ing的SMP，以及电池保护、电动工具和充电器应用。

SD封装的特点是在组件内部倒置的硅。这样，源电势通过热焊盘连接到PCB上，而不是漏极电位。最终，与现有技术相比，这种变体可以使rd（on）大幅度降低25%。

与传统的PQFN封装相比，结-壳之间的热阻（R-thJC）也显著提高。SD OptiMOS可承受高达194 A的高连续电流。此外，优化的布局可能性和PCB的更有效利用率允许更大的设计灵活性和最高的性能。