N沟道mos场效应管

英文全称Metal-Oxide-SemIConductor  简称MOS管

结构：p型衬底和两个高浓度n扩散区构成MOS场效应管，称n沟道MOS场效应管；

它导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道；

n沟道增强型MOS场效应管n沟道增强型MOS管，

栅源电压 >大于阈值电压

导电沟道产生n沟道MOS场效应管

栅源间电压=零，有导电沟道产生n沟道MOS场效应管，即n沟道耗尽型MOS管；

 

场效应管导通和截止，栅源间电压控制；

N沟道管加正向电压即导通，P沟道管加反向电压即导通； 

增强型管必加电压导通，耗尽型管一直处于导通状态，加上栅源电压即截止；

 

场效应管工作状态：

截止+线性扩大+饱和

 

开关电路：让管子工作在截止+饱和状态的电路；

晶体管截止，集电极不吸收电流表示开关

以晶体管饱和，发射极和集电极间电压差≈0V，即开；

开关电路在数字电路中应用中：

输出电位≈0V，即0；

输出电位≈电源电压，即1；

数字集成电路内部晶体管工作在开关状态;