TRENCHSTOP™ IGBT 7技术现已在TO-247外壳中提供

英飞凌infineon随后在一个独立的外壳中提供行业领先的沟槽式IGBT7技术。该设备采用TO-247，击穿电压为650 V。新的TRENCHSTOP系列产品组合包括20 A、30 A、40 A、50 A和75 A的电流额定值。它可以很容易地用于取代以前的技术和并联。此版本的IGBT7特别适用于工业电机驱动、功率因数校正、光伏和不间断电源等应用。

英飞凌infineon 基于新型微沟槽技术，沟槽式IGBT7芯片具有更低的静态损耗。

对于相同的电流等级，通态电压降低了10%。这一特性可显著降低应用中的损耗，尤其是对于通常在中等开关频率下工作的工业驱动器。

英飞凌infineon IGBT T7技术具有非常低的饱和电压（V CE（sat）），并与发射极控制的第7代（EC7）二极管共同封装，可提供150 mV的正向电压（V F）降和改进的反向恢复软性。

该器件具有优越的可控性和优良的电磁干扰性能。它可以很容易地进行调整，以提供特定应用的dv/dt和开关损耗的最佳比率。

英飞凌infineon 650V沟槽式IGBT7可根据应用要求提供短路鲁棒性。

此外，它还通过了基于JEDEC的HV-H3TRB（高压高湿高温反向偏压）测试，证明了该器件在工业应用中常见的高湿度环境中的耐用性。