场效应管基本放大电路三种组态：共源极组态+共漏极组态+共栅极组态。

场效应管放大电路分析方法有如下两种

1.图解法

2.低频小信号等效电路法或微变等效电路法

偏置电路：给场效应管栅极提供直流电压电路

偏置电路分类：固定偏置电路+自给偏置电路+分压式偏置电路

JFET放大电路即固定偏置电路共源组态的基本放大电路

如下所示

a:固定偏置电路

B:自给偏置电路

 

 

固定偏置放大电路给场效应管提供负偏压，

偏置电压：外加电压Ugg提供

因场效应管输入电阻大，流过栅极电流=0，Rg两端电压到0；

由KVL方程可得：

静态电流公式

自给偏置电路

场效应管自给偏置放大电路

用结型FET和耗尽型FET

UGS=0时 ID=0 

在FET源极接入电阻R可在静态时得到

UGS= IDR且IG=0  RG两端电压降为0， UG=0

可得公式 UGS=UG-US=-IDR

因偏置电压则FET电流ID产生，因此称之为自给偏压，由可得公式：

只要将以上两个所得的公式联立求解，即可求出静态时，漏极电流ID和栅源电压UGS， 在求解ID和UGS过程中， 其方程解有两个值:

只有一个是合理， 需要根据FET夹断电压(耗尽型)UGS(off) 或开启电压(增强型)UGS(th)的大小对UGS 进行取舍， 通常应取对应于放大区的UGS和ID的值。

漏极电流ID 求出后，上图b所示电路的输出回路(漏极回路) 列出KVL方程：

UDS=UDD-ID(RD+R)

由于自给偏压电路中UGS=-IDR， 因此当漏极电流ID变化时，UGS和UDS也相应变化， 可

以稳定了静态工作点。对于要求UGS和UDS极性相同的增强型MOSFET放大电路， 需要采用分压式自给偏压电路。

 

分压式自给偏压电路

如下图所示

 

 

在自给偏压电路中，为了稳定静态工作点，可以增大源极电阻R，R越大负反馈作用越强，工作点越稳定，但同时ID也就越小，以致于使gns太小，影响放大器的性能。解决此问题采用如上图所示的分压式自给偏压放大电路。其中，图a所示分压式自给偏压共源极放大电路路与b分压式直流负反馈稳定工作点的BJT放大电路相似，只是将BJT换成了FET。

由于场效应管的输入电阻很大， 若画出交流等效电路，如上图a中RG1和RG2的并联将影响放大器的输入电阻。

场效应管放大电路中IG=0 让场效应管放大器获得更高输入电阻， 工程中常采用图b分压式自给偏压放大电路。

由于流过RG3的电流IG=0，RG2两端电压降为0，UGS由RG2上的到的分压UG和R两端的电压降US =IDR共同决定。

US=RDR

 

把 UGS=UG-US=-IDR 与 联立求解所得静态时漏极电流Id和栅源电压UGS值，上图b交流等效电路看，RG3引入利于提高放大器输入电阻； 

 

因此，由此公式可得UGS值方便。

分压式自给偏压电路：适用增强型和耗尽型场效应管放大电路；