MOS管分类：增强型+耗尽型

什么是增强型

VGS=0  MOS管截止状态，加正VGS，多数载流子被吸引到栅极，增强此区载流子所形成导电沟道；

N沟道增强型MOS管是左右对称拓扑结构，在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，

用光刻工艺扩散两个高掺杂N型区，N型区引出电极：漏极D+源极S，

源极与漏极间绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G；

VGS＝0  漏极与源极间与两个背靠背二极管相当，漏极与源极间加电压不会在此间形成电流；

栅极加电压，0＜VGS＜VGS(th)，栅极与衬底间形成电容电场作用，将靠近栅极下方P型半导体多子空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子耗尽层；

VGS＞VGS(th)   VGS(th)=开启电压，栅极电压较强，靠近栅极下方P型半导体表层中聚集较多电子，形成沟道，漏极与源极沟通；

 

此时加有漏源电压，即可以形成漏极电流ID。

栅极下方形成导电沟道中电子，与P型半导体载流子空穴极性相反,称反型层。

VGS继续增加，ID不断增加。

 

VGS＝0  ID＝0  VGS＞VGS(th)  出现漏极电流，此种MOS管被称为增强型。