电动汽车中的碳化硅代表着更高的效率、更高的功率密度和性能。特别是对于800V电池系统和大容量电池，碳化硅可以提高逆变器的效率，从而实现更长的续航距离或更低的电池成本。

英飞凌Infineon将在其虚拟PCIM展位上展示“EasyPACK”™ 带CoolSiC的模块™ 汽车MOSFET技术，1200 V半桥模块，额定电流8 mΩ/150 a。

英飞凌Infineon已经销售了超过5000万个不同芯片组的EasyPACK模块，用于各种工业和汽车应用。同时，半导体制造商已成功地在工业应用中建立了广泛的CoolSiC产品组合。

随着CoolSiC automotive MOSFET技术引入EasyPACK和全自动认证，英飞凌Infineon现在正在扩展模块系列的应用范围，包括电动汽车中具有高效率和开关频率要求的高压应用。其中包括高压/高压-直流-直流升压转换器、多相逆变器和快速开关辅助驱动器，如燃料电池压缩机。

CoolSiC汽车MOSFET技术

新模块基于英飞凌Infineon的碳化硅沟槽MOSFET结构。与平面结构相比，沟槽结构具有更高的细胞密度，从而产生最佳的性能因数。因此，沟道mosfet可以在较低的栅氧化场强度下工作，以获得更高的可靠性。

第一代CoolSiC汽车MOSFET技术优化用于牵引逆变器，重点在于实现尽可能低的传导损耗，特别是在部分负载条件下。再加上碳化硅mosfet的低开关损耗，这使得逆变器工作时的损耗比硅igbt降低约60%。

英飞凌Infineon还非常重视可靠性。芯片制造商开发和测试CoolSiC汽车MOSFET，旨在实现高短路、宇宙线和栅氧化层鲁棒性，这是设计高效可靠的电动汽车高压应用的关键。

英飞凌Infineon新的CoolSiC汽车MOSFET功率模块完全符合AQG324标准。