场效应管MOS管驱动低端与高端电路区别-场效应管MOS管-竟业电子

   时间:2020/6/24      阅读:2348   关键词:MOS管

MOS分:NMOS+PMOS管,MOS管驱动分:低端+

端驱动分:NMOS管高端驱动+PMOS管高端驱动

低端驱动分:NMOS低端驱动+PMOS低端驱动

 

场效应管MOS端驱动

MOS管相对于负载在电势高端D连接电源+S通过负载接地

 

NMOS管:Vgs > 开启电压导通

不能导通S电位无法确定,Vgs > 开启电压DS导通电位: D= S极,同为电源电位时:如:G极电位 > 电源电位,否则导通不能持续。

 

场效应管MOS管驱动电路图

 

PMOS管:Vgs < 某值,导通,S极电位不确定;

如:Vgs < 开启电压,DS导通,DS同为电源电位时,可让Vgs < 开启电压持续,MOS管导通状态持续;

 

场效应管MOS管驱动电路图

 

场效应管MOS低端驱动

MOS管相对于负载在电势低端,D通过负载接电源,S直接接地

 

NMOS管:Vgs > 开启电压导通;

无法导通S极电位无法确定,如:Vgs > 开启电压DS导通S=地电位,可保持Vgs > 开启电压DS导通持续;

 

场效应管MOS管驱动电路图

 

PMOS管:Vgs < 某值,导通S电位无法确定,如:让Vgs < 开启电压导通,但S=地电位Vgs <开启电压,不能一直保持;

 

场效应管MOS管驱动电路图

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