场效应管MOS管由截止—开启过程，要有完整电路结构模型并引入寄生参数。

 

开启过程如下图所示：

 

t0-t1：

栅极电流对Cgs，Cgd充电，Vgs升高—开启电压Vgs(th)，MOS管并没开启，无电流通过，即MOS管为截止区;

Vd电压 > Vg   电容 Cgd 正在上面，负在下面；

 

 

t1-t2：

Vgs=Vth，MOS管开启—满载电流值Io

达到Vth后，MOS管开始逐渐开启→满载电流值Io；

此时：电流Ids，Ids与Vgs呈线性关系，MOS管可变电阻区或线性区；

 

 

t2-t3：

 

MOS开启达到电流Io，栅极电流被转移到Ids中，

此时：Vgs不变，出现米勒平台。在米勒平台区域，处于MOS管饱和区或放大区；