MOS管设计开关电源或是马达驱动电路，我们经常考虑的是MOS管（场效应管）的导通电阻，最大电压及电流因素，但是这并不是完美的设计，甚至在正式设计中是不被接受的。

MOS管（场效应管）种类和结构

MOS管（场效应管）= FET + JFET，可设计成 增强型 + 耗尽型 + P沟道 + N沟道

最常用到的是：增强型的N沟道（NMOS） + 增强型的P沟道（PMOS）
增强型的N沟道（NMOS）优势是：通电阻小 + 容易设计，因此在开关电源，马达驱动 最常用；

MOS管（场效应管）有三个管脚，分别是G、S、D,三个管脚之间存在寄生电容,因制造工艺限制，寄生电容会让设计及选择驱动电路时会复杂一些；
MOS管（场效应管）的漏极和源极之间有一个寄生二极管，我们把它叫作体二极管，在驱动感性负载（如马达）中此二极管非常重要的，但此二极管在集成电路芯片内部是没有的。

 

MOS管（场效应管）的导通特性
导通（作为开关）指的是开关闭合；
NMOS管：Vgs > 一定的值，即可导通，用于：源极接地（低端驱动），栅极电压：4V、10V；

PMOS管：Vgs < 一定的值,  即可导通，用于：源极接VCC（高端驱动）;

劣势：导通电阻大，替换种类少，价格贵，即很少应用于高端驱动，一般都选择NMOS管；

 

开关MOS管（场效应管）损失

MOS管（场效应管）导通后有导通电阻，因此电流会消耗能量，即称之导通损耗，所以设计的时候会选择MOS管（场效应管）导通电阻小的，来减少这种导通损耗；

MOS管（场效应管）开关损失是：MOS管（场效应管）两端电压下降有一个过程，电流上升有一个过程，这个时间段内损失的电压和电流的乘积，即：损失电压X 损失电流= 开关损失（开关损失 >导通损失,开关频率越快，损失也越大）；

降低开关损失方法：缩短开关时间（减小导通时损失），缩短开关时间（减小单位时间内开关次数）

 

MOS管（场效应管）驱动

MOS管（场效应管）驱动：对GS与GD间寄生电容充放电；

而充电时需电流，对电容充电瞬间可看作短路，此瞬间电流很大，因此选用或设计此驱动注意事项如下：
1.提供瞬间短路电流大小；

2.NMOS用于高端驱动时，导通需栅极电压 > 源极电压,高端驱动MOS管导通时源极电压 = 漏极电压（VCC）,此时栅极电压 > VCC  4V或10V，如果马达驱动器集成电荷泵，应选合适外接电容，有足够短路电流去驱动MOS管（场效应管）；

4V和10V是MOS管常用导通电压，设计时应有一定余量，电压越高，导通速度越快，导通电阻越小，现已经有更小导通电压MOS管（场效应管）在使用，如：12V汽车电子系统，使用4V导通；

 

MOS管（场效应管）应用电路

优势：开关特性好

应用领域：开关电源，马达驱动，照明调光等